集成电路（数模集成电路设计和制造）
本课程深度解析CMOS集成电路设计与工艺，通过理论结合EDA工业级仿真实验，助你掌握从晶体管物理模型到数模系统设计的全栈技能，实现向专业芯片工程师的跨越。
25-26EEE337 集成电路概念与设计
Integrated Circuits - Concepts and Design
- 学校
- 西交利物浦大学
- 学院
- School of Advanced Technology
- 专业方向
- EEE · Electrical and Electronic Engineering
- 完整开课代码
- EEE337-2025/26-SEM1
- 开课学年
- 2025/26
课程概览
真题讲解
EEE337-24-25-F
本课程深入剖析集成电路制造与设计核心考点，涵盖Deal-Grove氧化动力学计算、有限源扩散模型、STI工艺流程、FinFET与GAA短沟道效应及其静电控制优势，并详细解析CMOS传输门电阻特性、Domino逻辑电路的性能延迟与漏电补偿，最后通过半电路法精讲推挽反相器及差分放大器的增益与偏置设计，助你掌握半导体器件从物理机制到电路分析的关键解题路径。
24-25EEE337-24-25-R
本课程深度解析半导体制造与集成电路设计核心考点，涵盖恒定表面源扩散模型计算、光刻工艺八大流程梳理、CMOS互连线RC延时优化、短沟道DIBL效应及FinFET结构特性分析，并精讲动态电路电荷分享原理、CMOS动态功耗计算模型及差分放大器小信号等效分析方法，助力考生精准掌握芯片物理模型构建、工艺参数标注与高性能电路设计的核心逻辑，从原理剖析到公式推导实现全方位解题能力提升。
24-25