EEE201 CMOS数字集成电路

CMOS Digital Integrated Circuits

学校: 西交利物浦大学
学院: Academy of AI and Advanced Technology
专业方向: EEE · Electrical and Electronic Engineering
完整开课代码: EEE201-2025/26-SEM1、EEE201-2026/27-SEM1
开课学年: 2025/26、2026/27

课程概览

CMOS集成电路

本课程以物理机理为核心，带你深挖CMOS器件建模、逻辑电路设计与版图实现，通过从理论到工业实践的闭环训练，培养具备芯片工程分析、PPA优化及实战能力的微电子人才

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课程讲解

第四讲：MOS电容物理结构、工作模式与电容特性

从MOS电容三明治结构出发，系统掌握能带弯曲、积累耗尽反型三种工作模式、阈值电压与C-V曲线特性，为理解CMOS数字集成电路分析与设计打下器件物理基础。

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第三讲：硅p-n结与物理结构

从硅p-n结物理结构与载流子特性出发，深入掌握耗尽区静电学、内建电位、I-V特性与结电容，打通MOSFET寄生效应到CMOS版图设计的底层逻辑。

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第二讲：硅材料、能带与载流子传输

从硅的晶体结构与能带出发，讲解载流子、掺杂、费米能级及漂移扩散电流，帮你建立MOSFET与CMOS电路的器件物理根基。

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第一讲：硅CMOS集成电路快速概览

从硅CMOS器件物理与反相器出发，系统掌握数字IC从逻辑门、触发器到版图与工艺的完整设计链路，理解功耗延迟折中、多层抽象与验证流程，建立从器件到系统的CMOS集成电路核心能力。

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真题讲解

EEE201-24-25-F

本课程深入解析MOSFET物理特性与电路应用，涵盖MOS电容工作模式判定、内建电势计算、漏极电流特性曲线分析及CMOS逻辑电路性能评估，并结合存储单元版图讲解DRAM存储原理与版图截面绘制技巧。

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EEE201-24-25-R

本课程深度解析半导体物理与MOS器件工程，涵盖能带结构分析、衬底类型判定、MOS电容偏置响应与低频电容计算，系统讲解多晶硅栅极工艺、Pseudo-NMOS逻辑门电路设计、动态逻辑电路时序控制，并对比DRAM与EEPROM存储单元的结构原理与物理版图设计，助力学生掌握微电子集成电路设计的核心逻辑与工程应用。

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